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解決方案

第三代半導體SIC晶圓的激光內(nèi)部改質(zhì)切割技術

星之球科技 來源:大族激光顯視與半導體2020-05-20 我要評論(0 )   

自1960年代起,以硅為標志的第一代半導體材料一直是半導體行業(yè)產(chǎn)品中使用最多的材料,由于其在通常條件下具備良好的穩(wěn)定性,硅襯底一直被廣泛使用于集成電路芯片領域;...

自1960年代起,以硅為標志的第一代半導體材料一直是半導體行業(yè)產(chǎn)品中使用最多的材料,由于其在通常條件下具備良好的穩(wěn)定性,硅襯底一直被廣泛使用于集成電路芯片領域;但硅襯底在光電應用領域、高頻高功率應用領域中存在材料性能不足的缺點,因此以光通訊為代表的行業(yè)開始使用GaAs和、InP等二代半導體材料作為器件襯底。


SiC和GaN為代表的寬禁帶寬度材料(Eg≥2.3eV)則被稱之為第三代半導體材料。除了寬禁帶寬度的特點,第三代半導體的主要特點在于高擊穿電壓、高熱傳導率、高飽和電子濃度以及高耐輻射能力,這些特性決定了第三代半導體材料在眾多嚴酷環(huán)境中也能正常工作。SiC作為第三代半導體中的代表材料,可以應用于各種領域的高電壓環(huán)境中,包括汽車、能源、運輸、消費類電子等。據(jù)預測,到2025年全球SiC市場將會增加到60.4億美元(ResearchAndMarkets.com)。


第三代半導體SiC晶圓的激光內(nèi)部改質(zhì)切割技術

SiC晶圓傳統(tǒng)上采用刀輪進行切割,但由于SiC的Mohs硬度達到了9以上,需要選用相對昂貴的金剛石材質(zhì)作為刀輪,且刀輪耗材的使用壽命也大大減小。正因為SiC擁有較高的機械強度,使得刀輪耗材的成本更高、切割效率極低。

表一 常見材料的莫氏硬度


目前激光切割SiC晶圓的方案為激光內(nèi)部改質(zhì)切割,其原理為激光在SiC晶圓內(nèi)部聚焦,在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層后,配合裂片進行晶粒分離。SiC作為寬禁帶半導體,禁帶寬度在3.2eV左右,這也意味著材料表面的對于大部分波長的吸收率很低,使得SiC晶圓與激光內(nèi)部改質(zhì)切割擁有絕佳的相匹配性。

圖一 激光內(nèi)部改質(zhì)切割示意圖


圖二 SiC的吸收圖譜 Choyke (1969)[1]


激光切割難點與技術突破

由于碳化硅自然界中擁有多態(tài)(Polymorphs),例如3C-SiC,4H-SiC,6H-SiC等,其中六方晶系的碳化硅理論上有無數(shù)種多態(tài)可能性。目前行業(yè)內(nèi)選用的碳化硅多態(tài)為4H-SiC。為了獲得想要的低缺陷4H-SiC,SiC晶圓通常需要以4°偏軸在種子晶格上進行晶錠生長。因此,在切割垂直晶圓平邊的方向時,裂紋會與C面軸向[0001]產(chǎn)生4°偏角。使用普通激光切割設備進行切割時,4°的偏角會使材料裂開變得困難,從而使得最終該方向產(chǎn)生嚴重崩邊(chipping)和切割痕跡蜿蜒(meandering)。

圖三 4H-SiC的偏軸示意圖


大族顯視與半導體自主研發(fā)的第三代半導體SiC晶圓激光內(nèi)部改質(zhì)切割設備(圖六),針對晶格結構的方向,對激光器和光路系統(tǒng)進行了升級,配合精準的平臺移動和焦點能量密度控制;針對SiC的晶體學特性壓制了材料的斜裂,從而在垂直平邊的切割方向也能獲得優(yōu)秀的效果,最終產(chǎn)品晶粒兩個方向均無崩邊、無碎屑、無雙晶、無可見蜿蜒(能控制在1μm以內(nèi)),實際效果如下圖(圖四&圖五)。

圖四 SiC產(chǎn)品切割效果正面圖


圖五 SiC產(chǎn)品切割效果背面圖


該設備為國內(nèi)首臺第三代半導體SiC晶圓激光內(nèi)部改質(zhì)切割設備。自2015年開始,大族顯視與半導體配合半導體行業(yè)客戶需求,自主研發(fā)并生產(chǎn)了該設備,打破了國外技術壟斷,填補了國內(nèi)市場空白。該技術自成型以來,已形成批量銷售,大族顯視與半導體技術團隊以激光切割設備為核心在多個客戶現(xiàn)場提供整套的碳化硅切割解決方案,備受客戶贊譽。

圖六大族第三代半導體內(nèi)部改質(zhì)切割設備


隨著SiC市場規(guī)模的擴大以及終端品質(zhì)要求的提升,SiC晶圓加工行業(yè)面臨更大的機遇和挑戰(zhàn)。大族顯視與半導體作為第三代半導體晶圓激光切割領域的領跑者,將不斷創(chuàng)新、研發(fā),為半導體行業(yè)提供最專業(yè)的激光加工設備及方案。

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半導體晶圓加工
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