據(jù)中新社報道：作為芯片製造核心關(guān)鍵裝備，由中國電子科技集團有限公司(中國電科)旗下電科裝備自主研製的高能離子注入機，已成功實現(xiàn)百萬電子伏特高能離子加速，其性能達國際主流先進水平。

中國電科旗下電科裝備離子注入機總監(jiān)張叢表示，電科裝備將在年底前推出首臺高能離子注入機，實現(xiàn)中國芯片製造領(lǐng)域全系列離子注入機自主創(chuàng)新發(fā)展，并將為全球芯片製造企業(yè)提供離子注入機成套解決方案。

據(jù)了解，離子注入機是芯片製造中至關(guān)重要的核心關(guān)鍵裝備。在芯片製造過程中，需摻入不同種類元素以按預(yù)定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子形式被加速至預(yù)定能量并注入至特定半導(dǎo)體材料中。離子注入機即是執(zhí)行這一摻雜工藝的芯片製造設(shè)備。

高能離子注入機是離子注入機中技術(shù)難度最大的機型，長久以來，因其極大的研發(fā)難度和較高的行業(yè)競爭壁壘，被稱為離子注入機領(lǐng)域的“珠穆朗瑪峰”，是中國集成電路製造裝備產(chǎn)業(yè)鏈上亟待攻克的關(guān)鍵一環(huán)。

中國電科介紹說，旗下電科裝備，此前已連續(xù)突破中束流、大束流、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等離子注入機產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化難題，產(chǎn)品廣泛服務(wù)於全球知名芯片製造企業(yè)。