科技創(chuàng)新再傳喜訊。7月17日，記者從電科裝備45所了解到，由其牽頭承擔的激光隱形劃切設備及工藝開發(fā)項目近日順利通過北京市科委驗收。專家一致認為，電科裝備45所研發(fā)的激光隱形劃切設備突破了激光劃切實時測高及動態(tài)焦點跟隨、運動軌跡控制、分層隱形劃切等關鍵技術，掌握了碳化硅(SiC)晶圓隱形劃切工藝，滿足碳化硅晶圓切割需求，并且有望帶動國產激光器等核心器件的自主可控發(fā)展。

　　SiC材料具有高頻率、高功率、耐高溫、化學穩(wěn)定性好等優(yōu)點，是第三代半導體的優(yōu)秀代表。目前常使用砂輪劃切和激光表面燒蝕劃切，前者效率低且劃切槽較寬，造成嚴重的材料浪費和刀具磨損；后者由于熱影響和熔渣影響器件性能，無法滿足工藝需求。

經過不斷地創(chuàng)新，電科裝備45所研發(fā)的激光隱形劃切工藝將激光聚焦在材料內部形成改質層，然后通過裂片或擴膜的方式分離晶粒，使得晶圓表面無劃痕、無粉塵污染，幾乎無材料損耗，加工效率高，劃切完后無需清洗，適合于材料昂貴、抗污染能力差的器件生產。該工藝可以廣泛用于碳化硅、藍寶石、石英、鈮酸鋰等晶圓劃片領域。

　　據介紹，激光隱形劃切設備滿足了碳化硅晶圓切割的需求，性能指標達到同類產品國際先進水平。項目開發(fā)中，研發(fā)團隊還與國內激光器廠家合作開發(fā)了適合碳化硅晶圓劃切的皮秒激光器，同步提升了國產超快激光器制造技術。

　　激光隱形劃切設備的成功研發(fā)，極大增強了國內半導體裝備業(yè)的整機制造和工藝研發(fā)能力，提升了器件生產企業(yè)的核心競爭力。此外，電科裝備45所還建立了適用于激光隱形劃切設備研制的技術平臺、裝配平臺和檢測平臺，未來能夠有力推動其他激光劃片設備的技術提升及產業(yè)化進程。

　　科技成果轉化是加速創(chuàng)新驅動發(fā)展的重要引擎。下一步，將加速激光隱形劃切設備進入碳化硅器件產線驗證，全面考核和提升設備性能，積極探索設備在鈮酸鋰晶體、鉭酸鋰晶體、石英晶體等方面的應用。

（文章來源：北京商報）