3月1日，江蘇省人民政府公示了關(guān)于2021年度江蘇省科學(xué)技術(shù)獎勵的決定，長光華芯入選江蘇省科學(xué)技術(shù)獎一等獎，更是近5年江蘇省唯一一家

由企業(yè)獨(dú)立申報(bào)并榮獲一等獎的企業(yè)。

獲得本次江蘇省科學(xué)技術(shù)獎一等獎的是由長光華芯獨(dú)立申報(bào)的“高亮度長壽命高功率半導(dǎo)體激光芯片關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目。

高能激光是我國重點(diǎn)戰(zhàn)略發(fā)展領(lǐng)域，而高功率半導(dǎo)體激光芯片是當(dāng)代高能激光器中最核心的母光源，是高能激光系統(tǒng)中的“心臟”，在激光先進(jìn)制造和國家戰(zhàn)略高技術(shù)（激光）領(lǐng)域起到不可替代的作用。

我國多年來在腔面處理等關(guān)鍵技術(shù)方面一直無法突破，長期處于“有器無芯”的局面，嚴(yán)重制約了我國高能激光領(lǐng)域的發(fā)展，是典型的“卡脖子”問題。

長光華芯在國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、省成果轉(zhuǎn)化等項(xiàng)目的支持下，圍繞高功率半導(dǎo)體激光芯片的最核心指標(biāo)，功率、亮度、壽命及效率，在最關(guān)鍵的三大技術(shù)領(lǐng)域（腔面解理及鈍化處理、芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及制備工藝、外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及材料生長）進(jìn)行了10年的技術(shù)攻關(guān)和創(chuàng)新，取得了重大突破。核心指標(biāo)經(jīng)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測，全面達(dá)到甚至部分超出國外先進(jìn)水平。

長光華芯自成立以來一直堅(jiān)持自主研發(fā)和生產(chǎn)高功率半導(dǎo)體激光芯片，主要致力于高功率半導(dǎo)體激光器芯片、高效率半導(dǎo)體VCSEL芯片、高速光通信芯片及其器件和系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。建成了全球唯二、國內(nèi)唯一的6吋高功率半導(dǎo)體激光芯片晶圓垂直整合生產(chǎn)線，并在芯片設(shè)計(jì)、關(guān)鍵設(shè)備、工藝技術(shù)和原材料方面實(shí)現(xiàn)了自主可控。

公司產(chǎn)品已在相關(guān)國家重大項(xiàng)目或工程上應(yīng)用，并在激光先進(jìn)制造、新能源汽車等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，改變了我國高能激光領(lǐng)域因?yàn)椤坝衅鳠o芯”而被 “卡脖子”局面。

此外，長光華芯與蘇州高新區(qū)共建的蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院即將投入使用，項(xiàng)目總投資5億元，占地面積近2.3萬平方米，建筑面積5萬平方米，包含研發(fā)大樓、辦公大樓、生產(chǎn)工藝大樓等。

研究院將充分利用長光華芯已有的高功率半導(dǎo)體激光芯片優(yōu)勢，橫向拓展高效率半導(dǎo)體VCSEL芯片、高速光通信芯片、激光照明、激光顯示等方向和領(lǐng)域，同時，通過研究院平臺吸引全球該領(lǐng)域和相關(guān)領(lǐng)域高端人才，形成批量引進(jìn)和集聚效應(yīng)，建設(shè)國內(nèi)一流的半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)平臺，打造半導(dǎo)體激光產(chǎn)業(yè)高地，進(jìn)一步推動半導(dǎo)體激光芯片的國產(chǎn)化和產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，打造完全自主可控的中國激光芯！