美國加州大學(xué)圣塔巴巴拉分校（UCSB）中村修二教授領(lǐng)導(dǎo)的研究小組開發(fā)出了利用GaN結(jié)晶無極性面的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器。該研究小組表示，開發(fā)成功利用GaN結(jié)晶無極性面的藍(lán)紫色激光器在全球?yàn)槭卓町a(chǎn)品。

　　此前，該研究小組已著手進(jìn)行了利用無極性面的發(fā)光二極管（LED）的開發(fā)。“我們開發(fā)出了臨界電流密度較低的無極性面半導(dǎo)體激光器。該激光器比目前HD DVD設(shè)備和藍(lán)光光盤設(shè)備中使用的利用c面（極性面）的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器耗電量更低、壽命更長(zhǎng)”（中村）。此次試制的無極性面藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器在脈沖振蕩時(shí)，臨界電流密度為7.5kA/cm2、振蕩波長(zhǎng)為405nm。

　　目前市場(chǎng)上的GaN系藍(lán)色LED和藍(lán)紫色激光器利用的都是GaN結(jié)晶的極性面c面。無極性面是指極性面法線方向上的面。與極性面相比，具有發(fā)光效率高等優(yōu)勢(shì)。這是因?yàn)槔脽o極性面，能夠減弱造成發(fā)光效率下降的壓電電場(chǎng)。

　　目前，開展利用m面和a面等無極性面的LED相關(guān)研究的除了以中村為中心的研究小組外，京都大學(xué)和日亞化學(xué)工業(yè)的研究小組、羅姆公司等也在積極進(jìn)行LED元件的研制。

　　該研究小組預(yù)定利用此次的開發(fā)成果，于2007年 2月上旬在UCSB進(jìn)行發(fā)光等實(shí)際演示。